William Bradford Shockley para niños
Datos para niños William Bradford Shockley |
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  Premio Nobel de Física, foto de 1956 |
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| Información personal | ||
| Nacimiento | 13 de febrero de 1910 Londres (Reino Unido) |
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| Fallecimiento | 12 de agosto de 1989 Stanford (Estados Unidos) |
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| Causa de muerte | Cáncer de próstata | |
| Sepultura | Alta Mesa Memorial Park | |
| Nacionalidad | Británica y estadounidense | |
| Religión | Ateísmo | |
| Familia | ||
| Padres | William Hillman Shockley May Bradford Shockley |
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| Cónyuge |
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| Educación | ||
| Educación | doctorado en Filosofía en Física | |
| Educado en |
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| Supervisor doctoral | John C. Slater | |
| Información profesional | ||
| Área | Física | |
| Conocido por | Transistor Diodo Shockley |
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| Empleador | ||
| Partido político | Partido Republicano | |
| Miembro de | ||
| Distinciones | Premio Nobel de Física en 1956 | |
William Bradford Shockley (nacido el 13 de febrero de 1910 y fallecido el 12 de agosto de 1989) fue un científico estadounidense muy importante. Junto con John Bardeen y Walter Houser Brattain, recibió el Premio Nobel de Física en 1956. Lo ganaron por sus investigaciones sobre los semiconductores y por inventar el transistor.
En 1955, Shockley dejó los Laboratorios Bell y regresó a su ciudad natal, Palo Alto, California. Allí, cerca de la Universidad Stanford, fundó su propia empresa: Shockley Semiconductors Laboratory. Contó con el apoyo económico de Arnold Beckman. Intentó convencer a sus antiguos compañeros de Bell para que se unieran a él, pero ninguno quiso.
Entonces, buscó a los estudiantes más brillantes de las universidades para formar su equipo. Sin embargo, debido a su forma de dirigir la empresa, ocho de sus investigadores se fueron en 1957. Ellos formaron su propia compañía, Fairchild Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore, quienes más tarde crearían Intel. Shockley también escribió un libro importante llamado "Electrones y huecos en el semiconductor", publicado en 1950.
Contenido
La Carrera de William Shockley
Shockley fue uno de los primeros científicos contratados por los Laboratorios Bell. Se unió a un grupo que investigaba la física del estado sólido. Los Laboratorios Bell querían encontrar alternativas sólidas a los tubos de vacío. Estos tubos se usaban en todo el sistema telefónico.
Shockley diseñó varios prototipos usando materiales semiconductores. En 1939, intentó crear uno con Walter Brattain, pero no tuvieron éxito.
Investigaciones y Patentes
Shockley publicó varios artículos importantes sobre física en la revista Physical Review. En 1938, obtuvo su primera patente. Era para un "Dispositivo de Descarga de Electrones", que era un tipo de multiplicador de electrones.
Cuando comenzó la Segunda Guerra Mundial, Shockley interrumpió sus investigaciones anteriores. Se dedicó a la investigación del radar en Manhattan, Nueva York. En mayo de 1942, pidió un permiso en los Laboratorios Bell. Se convirtió en director de investigación en un grupo de la Universidad de Columbia. Su trabajo era encontrar formas de mejorar las tácticas de defensa.
Shockley viajaba a menudo a Washington para reunirse con oficiales y funcionarios del gobierno. En 1944, organizó un programa de entrenamiento para pilotos de bombarderos. Les enseñaba a usar nuevos sistemas de radar para apuntar bombas. A finales de 1944, viajó por el mundo para evaluar los resultados. Por este trabajo, recibió la Medalla al Mérito en 1946.
Shockley fue el primer físico en proponer un modelo matemático para entender cómo se crean los artículos de investigación científica.
El Desarrollo del Transistor
Después de la guerra, en 1945, los Laboratorios Bell crearon un grupo de física del estado sólido. Shockley y el químico Stanley Morgan lo dirigían. El grupo incluía a John Bardeen, Walter Brattain y otros científicos. Su objetivo era encontrar un reemplazo sólido para los frágiles amplificadores de tubo de vacío.
Sus primeros intentos se basaron en las ideas de Shockley. Él pensaba que un campo eléctrico externo podía cambiar la conductividad de un semiconductor. Pero estos experimentos no funcionaron. El grupo estaba estancado hasta que Bardeen propuso una nueva teoría. Esta teoría explicaba por qué el campo no penetraba en el semiconductor.
El grupo cambió su enfoque para estudiar estas "superficies". Se reunían casi a diario para discutir el trabajo. Había una gran colaboración y las ideas fluían libremente.
En 1946, Bardeen envió un artículo sobre las superficies a Physical Review. Brattain empezó a hacer experimentos para estudiarlas. Finalmente, comenzaron a ver amplificación de energía. Esto ocurrió cuando Pearson, siguiendo una sugerencia de Shockley, aplicó voltaje a una gota de un líquido especial sobre una unión PN.
Los abogados de los Laboratorios Bell descubrieron que la idea de Shockley ya había sido patentada en 1930 por Julius Lilienfeld. Por eso, el nombre de Shockley no apareció en las solicitudes de patente iniciales del transistor. Esto molestó mucho a Shockley. Él creía que su nombre debía estar en las patentes, ya que el trabajo se basaba en su idea original.
Shockley, molesto, siguió trabajando en secreto. Quería construir un tipo diferente de transistor. Este nuevo diseño se basaría en "uniones" en lugar de "contactos puntuales". Creía que este tipo sería más resistente y fácil de fabricar.
El 13 de febrero de 1948, otro miembro del equipo, John N. Shive, construyó un transistor de contacto puntual. Demostró que las "partículas" podían moverse a través del material. Esto llevó a Shockley a inventar el transistor de unión.
Unos meses después, Shockley inventó un tipo de transistor completamente nuevo. Era mucho más robusto y tenía una estructura de capas, como un "sándwich". Esta estructura se usó en la mayoría de los transistores en la década de 1960. Se conoció como el transistor de unión bipolar.
Shockley también escribió su obra más importante, Electrones y huecos en los semiconductores. Se publicó en 1950. Este libro incluía sus ideas clave sobre cómo se mueven los electrones en los cristales. Se convirtió en un libro fundamental para otros científicos que trabajaban en el desarrollo de transistores.
Esto llevó a su invención del "transistor de unión", que se anunció el 4 de julio de 1951.
En 1951, fue elegido miembro de la Academia Nacional de Ciencias. Tenía solo 41 años, lo cual era muy joven para tal honor. Recibió muchos otros premios y reconocimientos.
La publicidad por la "invención del transistor" a menudo ponía a Shockley en primer plano. Esto molestó a Bardeen y Brattain. Aunque Shockley corregía a los periodistas cuando le daban todo el crédito, terminó por molestar a sus compañeros. Bardeen se fue de los Laboratorios Bell en 1951. Brattain se negó a seguir trabajando con Shockley y fue asignado a otro grupo.
Shockley, Bardeen y Brattain recibieron el Premio Nobel de Física en 1956.
Shockley Semiconductor
En 1956, Shockley fundó el Laboratorio de Semiconductores Shockley en Mountain View, California. Esta empresa fue la primera en trabajar con dispositivos semiconductores de silicio en lo que hoy se conoce como Silicon Valley.
Shockley contrató a empleados muy brillantes. Sin embargo, los desmotivó con su forma de dirigir. Era muy autoritario y difícil de complacer. A finales de 1957, ocho de sus mejores investigadores renunciaron. Se les conoció como los "ocho traidores". Ellos formaron Fairchild Semiconductor. Shockley Semiconductor nunca se recuperó de esta pérdida y fue comprada por otra empresa tres años después. En los siguientes 20 años, más de 65 nuevas empresas tendrían conexiones con Fairchild a través de sus empleados.
Un grupo de unos treinta colegas se ha reunido desde 1956 para recordar la época en que Shockley fue, según un organizador en 2002, "el hombre que llevó el silicio a Silicon Valley".
Véase también
En inglés: William Shockley Facts for Kids
- Límite de Shockley-Queisser
